SEM micrographs of V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111) - Open Research Data - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

SEM micrographs of V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111)

Opis

The DataSet contains the scanning electron microscopy (SEM) micrographs of  V2O5 thin films deposited on isotropic etching silicon substrates (111). The silicon wafers were etched in a mixture of nitric acid, hydrofluoric acid, and acetic acid in the ratio of 40:1:15. The soaking time for the substrates was from 30 to 90 seconds. The thin films were obtained by the sol-gel method.  The information about sol synthesis is described in the Journal of Nanomaterials. The sol was deposited on the silicon substrate and vanadium thin films were obtained by annealing as-prepared films at 600°C  under synthetic air. 

The surface morphologies of the samples were studied by an FEI Company Quanta FEG 250 scanning electron microscope (SEM) (Waltham, MA, USA), mounting the analyzed sample on a carbon conductive tape.  

Plik z danymi badawczymi

Si_izo.zip
122.1 MB, S3 ETag 69e32137f7f458d9e26e1501d9ea02cf-1, pobrań: 26
Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
pobierz plik Si_izo.zip

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:
Creative Commons: by 4.0 otwiera się w nowej karcie
CC BY
Uznanie autorstwa
Dane surowe:
Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:
2021
Data zatwierdzenia:
2021-06-22
Język danych badawczych:
angielski
Dyscypliny:
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
DOI:
Identyfikator DOI 10.34808/afje-2e07 otwiera się w nowej karcie
Seria:
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Powiązane zasoby

Cytuj jako

wyświetlono 60 razy