A1GaN/GaN Field Effect Transistors Based on Lateral Schottky Barrier Gates as Millimeter Wave Detectors - Publikacja - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

A1GaN/GaN Field Effect Transistors Based on Lateral Schottky Barrier Gates as Millimeter Wave Detectors

Abstrakt

Cytowania

  • 1

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1

    Scopus

Autorzy (12)

  • Zdjęcie użytkownika P. Sai

    P. Sai

  • Zdjęcie użytkownika D. But

    D. But

  • Zdjęcie użytkownika K. Nowakowski-Szkudlarek

    K. Nowakowski-Szkudlarek

  • Zdjęcie użytkownika J. Przybytek

    J. Przybytek

  • Zdjęcie użytkownika P. Prystawko

    P. Prystawko

  • Zdjęcie użytkownika I. Yahniuk

    I. Yahniuk

  • Zdjęcie użytkownika P. Wisniewski

    P. Wisniewski

  • Zdjęcie użytkownika B. Stonio

    B. Stonio

  • Zdjęcie użytkownika M. Slowikowski

    M. Slowikowski

  • Zdjęcie użytkownika S. Rumyantsev

    S. Rumyantsev

  • Zdjęcie użytkownika W. Knap

    W. Knap

  • Zdjęcie użytkownika G. Cywinski

    G. Cywinski

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2018
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/irmmw-thz.2018.8510420
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Meta Tagi