AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range - Publikacja - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range

Abstrakt

Cytowania

  • 1 4

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1 9

    Scopus

Autorzy (16)

  • Zdjęcie użytkownika P Sai

    P Sai

  • Zdjęcie użytkownika D But

    D But

  • Zdjęcie użytkownika I Yahniuk

    I Yahniuk

  • Zdjęcie użytkownika M Grabowski

    M Grabowski

  • Zdjęcie użytkownika M Sakowicz

    M Sakowicz

  • Zdjęcie użytkownika P Kruszewski

    P Kruszewski

  • Zdjęcie użytkownika P Prystawko

    P Prystawko

  • Zdjęcie użytkownika A Khachapuridze

    A Khachapuridze

  • Zdjęcie użytkownika K Nowakowski-Szkudlarek

    K Nowakowski-Szkudlarek

  • Zdjęcie użytkownika J Przybytek

    J Przybytek

  • Zdjęcie użytkownika P Wiśniewski

    P Wiśniewski

  • Zdjęcie użytkownika B Stonio

    B Stonio

  • Zdjęcie użytkownika M Słowikowski

    M Słowikowski

  • Zdjęcie użytkownika S Rumyantsev

    S Rumyantsev

  • Zdjęcie użytkownika W Knap

    W Knap

  • Zdjęcie użytkownika G Cywiński

    G Cywiński

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY nr 34, wydanie 2,
ISSN: 0268-1242
ISSN:
0268-1242
Rok wydania:
2019
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1088/1361-6641/aaf4a7
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Meta Tagi