Double-Quantum-Well AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Top and Back Gates: Electrical and Noise Characteristics

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:: Micromachines nr 12, wydanie 6,
ISSN: 2072-666X
ISSN:: 2072-666X
Rok wydania:: 2021
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/mi12060721
Weryfikacja:: Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Wyszukiwarka