Electrical and noise properties of graphene gate fin-shaped GaN/AlGaN field effect transistors for high frequency electronics - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Electrical and noise properties of graphene gate fin-shaped GaN/AlGaN field effect transistors for high frequency electronics

Abstrakt

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Autorzy (13)

  • Zdjęcie użytkownika  M. Dub

    M. Dub

  • Zdjęcie użytkownika  P. Sai

    P. Sai

  • Zdjęcie użytkownika  A. Przewloka

    A. Przewloka

  • Zdjęcie użytkownika  D. But

    D. But

  • Zdjęcie użytkownika  M. Sakowicz

    M. Sakowicz

  • Zdjęcie użytkownika  M. Haras

    M. Haras

  • Zdjęcie użytkownika  A. Krajewska

    A. Krajewska

  • Zdjęcie użytkownika  I. Pasternak

    I. Pasternak

  • Zdjęcie użytkownika  P. Prystawko

    P. Prystawko

  • Zdjęcie użytkownika  G. Cywinski

    G. Cywinski

  • Zdjęcie użytkownika  W. Knap

    W. Knap

  • Zdjęcie użytkownika  S. Rumyantsev

    S. Rumyantsev

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2022
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895991
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 1 razy

Meta Tagi