Wyszukiwarka
Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers
Abstrakt
The role of the annihilation of excitons on charge carriers has been theoretically investigated in organic semiconductors. We have developed the numerical drift-diffusion model by incorporation terms which describe the annihilation process. The transient photocurrent has been calculated for different injection barrier heights, exciton mobilities, and annihilation rate constants. We have demonstrated that the annihilation has a great influence on the range and the rising time of the photocurrent.
Cytowania
-
2
CrossRef
-
0
Web of Science
-
2
Scopus
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 60 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
- Copyright (Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
ACTA PHYSICA POLONICA A
nr 132,
wydanie 2,
strony 397 - 400,
ISSN: 0587-4246 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2017
- Opis bibliograficzny:
- Głowienka D., Szmytkowski J.: Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers// ACTA PHYSICA POLONICA A. -Vol. 132, iss. 2 (2017), s.397-400
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.12693/aphyspola.132.397
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 185 razy