Thermal measurement of dissipated power for Gallium Nitride Gate Injection Transistors - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Thermal measurement of dissipated power for Gallium Nitride Gate Injection Transistors

Abstrakt

Cytowania

  • 1

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1

    Scopus

Autorzy (3)

  • Zdjęcie użytkownika  L. Wydzgowski

    L. Wydzgowski

  • Zdjęcie użytkownika  T. Tarczewski

    T. Tarczewski

  • Zdjęcie użytkownika  L. Grzesiak

    L. Grzesiak

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2019
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.23919/epe.2019.8915375
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 0 razy

Meta Tagi