Wyszukiwarka
Abstrakt
Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
Autorzy (7)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 16,
strony 513 - 518,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2008
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Pribbenow M., Boratyński B., Panek M., Woźniak J., Zborowska-Lindert I., Ściana B.: Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.513-518
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 120 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
- W. Kordalski,
- B. Boratyński,
- M. Panek
- + 5 autorów
2007
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- L. Damaszk,
- B. Boratyński
- + 4 autorów
2008