Filtry
wszystkich: 156
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (110)
Wyniki wyszukiwania dla: INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) , MODELING , PIECEWISE LINEAR ELECTRICAL CIRCUIT SIMULATION (PLECS) , POWER TRANSISTORS , SELF-HEATING , THERMAL MODEL
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Katedra Automatyki Napędu Elektrycznego i Konwersji Energii
Potencjał Badawczy* nieliniowe sterowanie maszynami elektrycznymi * napędy elektryczne o sterowaniu bez czujnikowym * sterowanie przekształtnikami energoelektronicznymi, w tym przekształtnikami na średnie napięcia i przekształtnikami sieciowymi * energoelektroniczne układy przetwarzania energii w odnawialnych źródłach energii * projektowanie i badanie falowników i przetwornic * projektowanie układów sterowania mikroprocesorowego z wykorzystaniem...
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Potencjał Badawczy* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (46)
Wyniki wyszukiwania dla: INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) , MODELING , PIECEWISE LINEAR ELECTRICAL CIRCUIT SIMULATION (PLECS) , POWER TRANSISTORS , SELF-HEATING , THERMAL MODEL
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Laboratorium Wysokich Napięć
Oferta BiznesowaBadania układów probierczych i pomiarowych stosowanych w technice wysokiego napięcia
-
Laboratorium LINTE^2
Oferta BiznesowaBadania w zakresie elektroenergetyki, energoelektroniki i przyłączania nowoczesnych źródeł energii do sieci elektroenergetycznej
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (14713)
Wyniki wyszukiwania dla: INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) , MODELING , PIECEWISE LINEAR ELECTRICAL CIRCUIT SIMULATION (PLECS) , POWER TRANSISTORS , SELF-HEATING , THERMAL MODEL
-
Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS
PublikacjaIn the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...
-
Nonlinear Control of a Doubly Fed Generator Supplied by a Current Source Inverter
PublikacjaNowadays, wind turbines based on a doubly fed induction generator (DFIG) are a commonly used solution in the wind industry. The standard converter topology used in these systems is the voltage source inverter (VSI). The use of reverse-blocking insulated gate bipolar transistor (RB-IGBT) in the current source inverter topology (CSI), which is an alternative topology, opens new possibilities of control methods. This paper presents...
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublikacjaW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublikacjaThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...