Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

Paweł Derkacz; Piotr Musznicki

doi:10.15199/48.2019.02.28

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

Abstrakt

The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test(DPT) conditions.

Cytowania

1

CrossRef
0

Web of Science
1

Scopus

Autorzy (2)

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację

pobrano 315 razy

Wersja publikacji: Accepted albo Published Version
Licencja: otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS, GAN TRANSISTORS, POWER TRANSISTORS, OVERCURRENT PROTECTION, SMPS, GATE CIRCUIT

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach
Opublikowano w:: Przegląd Elektrotechniczny wydanie 2, strony 125 - 128,
ISSN: 0033-2097
Język:: angielski
Rok wydania:: 2019
Opis bibliograficzny:: Derkacz P., Musznicki P.: Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors// Przegląd Elektrotechniczny -,iss. 2 (2019), s.125-128
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2019.02.28
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska