Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 44
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (39)
Wyniki wyszukiwania dla: SYMULACJA UKŁADÓW CMOS I BICMOS
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Potencjał Badawczy* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
-
Zespół Systemów Decyzyjnych i Robotyki
Potencjał BadawczyAutomatyka i Robotyka, która posiada silne posadowienie w matematycznej Teorii Systemów i Teorii Sterowania, już w połowie ubiegłego stulecia zaistniała w powszechnej świadomości jako Cybernetyka, która – kontynuując czerpanie wiedzy ze zjawisk istniejących w świecie natury – przekształciła się w Sztuczną Inteligencję, ciągle nie przestaje być dynamicznie rozwijającą się dziedziną z gruntu interdyscyplinarną, łączącą wiedzę i umiejętności...
-
Zespół Algorytmów i Modelowania Systemów
Potencjał BadawczyStudiowanie problemów i modeli teoriografowych ma na celu badanie złożoności obliczeniowej uogólnień problemu klasycznego kolorowania wierzchołków i krawędzi grafu znajdujących zastosowania w modelowaniu praktycznych problemów oraz badanie nowych miar oceny skuteczności algorytmów. W zakresie szeregowania zadań badania koncentrują się na konstrukcji harmonogramów optymalnych z punktu widzenia długości harmonogramu i średniego czasu...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (5)
Wyniki wyszukiwania dla: SYMULACJA UKŁADÓW CMOS I BICMOS
-
Laboratorium Technologii Kosmicznych ESA_lab@GUT
Oferta BiznesowaESA_Lab@GUT został oficjalnie otwarty przez prof. Johanna-Dietricha Woernera, dyrektora generalnego Europejskiej Agencji Kosmicznej w trakcie pierwszej Studenckiej Konferencji Kosmicznej 2020 organizowanej przez Polską Agencję Kosmiczną i Politechnikę Gdańską. Jest to laboratorium Technologii Kosmicznych pod opieką KN SimLE. W sali znajduje się sprzęt do wykonywania drobnych komponentów mechanicznych, wykonywania testów komponentów...
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Laboratorium Materiałów Polimerowych
Oferta BiznesowaLaboratorium jest wyposażone w:; • plastometr do badań wskaźnika szybkości płynięcia uplastycznionego tworzywa, ; • młot do badań udarności materiałów, ; • wtryskarkę hydrauliczną z urządzeniami peryferyjnymi wymaganymi do uruchomienia produkcji znormalizowanych próbek do badań wytrzymałościowych,; • zestaw urządzeń przetwórczo - pomiarowych;
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (47)
Wyniki wyszukiwania dla: SYMULACJA UKŁADÓW CMOS I BICMOS
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublikacjaZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
PublikacjaW oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublikacjaW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublikacjaPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.