Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY MOCY - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY MOCY

Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (6)

Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY MOCY

  • Zespół Odnawialnych Źródeł Energii i Diagnostyki

    Potencjał Badawczy

    1. Algorytmy sterowania zasobami energetycznymi odnawialnych źródeł energii; 2. Diagnostyka układów napędowych; 3. Diagnostyka i sterowanie w odnawialnych źródłach energii.

  • Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych

    * Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...

  • Zespół Systemów Mikroelektronicznych

    * projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...

Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (12)

Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY MOCY

  • Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

    W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier

    W pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...

  • Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu

    Publikacja

    Tranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...

  • Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy

    W artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy

    Publikacja

    - Rok 2013

    W artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...