Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 7
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (5)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
-
Katedra Aparatury i Maszynoznawstwa Chemicznego
Potencjał Badawczy* zasobów, możliwości pozyskania, konwersji, magazynowania i transportu energii ze źródeł odnawialnych, w tym energii słonecznej i biopaliw * możliwości odzyskiwania energii odpadowej w procesach przemysłowych i sposoby jej zagospodarowania * opracowanie procesów technologicznych recyklingu materiałowego zużytych modułów i ogniw fotowoltaicznych * opracowanie procesów technologicznych recyklingu materiałowego zużytych opon samochodowych *...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (2)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride
-
Laboratorium Źródeł Energii w Katedrze Konwersji i Magazynowania Energii
Oferta Biznesowa -
FPGA/VHDL
Oferta Biznesowa
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (4)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride
-
EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT
PublikacjaA dc-dc buck converter using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) is experimentally investigated at the discontinuous current mode (DCM) and at the triangular current mode (TCM) operation. The paper objective is to specify the power conversion efficiency and attenuation of common mode (CM) and differential mode (DM) noise voltage, measured at the line impedance stabilization network (LISN) for compared...
-
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
PublikacjaThis paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublikacjaThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....
-
Paweł Derkacz
OsobyPawel B. Derkacz was born in Miastko, Poland, in 1993. He received the B.Sc. and M.Sc. degrees in electrical engineering from the Gdansk University of Technology (GUT), Gdansk, Poland, in 2016 and 2017, respectively. In October 2017, he joined the Faculty of Electrical and Control Engineering at GUT Gdansk. In June 2019, he joined the Grenoble Electrical Engineering Laboratory (G2Elab) at Grenoble Institute of Technology (Grenoble...