Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 147
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (103)
Wyniki wyszukiwania dla: SIC JFET
-
Katedra Automatyki Napędu Elektrycznego i Konwersji Energii
Potencjał Badawczy* nieliniowe sterowanie maszynami elektrycznymi * napędy elektryczne o sterowaniu bez czujnikowym * sterowanie przekształtnikami energoelektronicznymi, w tym przekształtnikami na średnie napięcia i przekształtnikami sieciowymi * energoelektroniczne układy przetwarzania energii w odnawialnych źródłach energii * projektowanie i badanie falowników i przetwornic * projektowanie układów sterowania mikroprocesorowego z wykorzystaniem...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Systemów i Urządzeń Energetyki Cieplnej
Potencjał Badawczyintensyfikacja wymiany ciepła, nowoczesne wymienniki ciepła, wysokotemperaturowe pompy ciepła, mikrosiłownie ORC i inne
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (44)
Wyniki wyszukiwania dla: SIC JFET
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Piotr Grudowski
Oferta BiznesowaPomiary długości i kąta, pomiary wielkości elektrycznych Testowanie elementów mechatronicznych
-
Laboratorium Zaawansowanych Procesów Plazmochemicznych
Oferta BiznesowaZastosowanie zimnej plazmy atmosferycznej w agrotechnice, nanotechnologii, chemii żywności, inżynierii powierzchni, inżynierii materiałowej, biomedycynie, inżynierii środowiska. Miniaturyzacja systemów plazmowych stosoowanych w analitycznej spektrometrii atomowej. Niekonwencjonalne metody prowadzania próbek do spektrometrów.
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (5055)
Wyniki wyszukiwania dla: SIC JFET
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publikacja -
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublikacjaZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...