Search
Filters
total: 70
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (56)
Search results for: GFET
-
Zespół Inżynierii Biomedycznej
Research PotentialInżynieria biomedyczna stanowi nową interdyscyplinarną dziedzinę wiedzy zlokalizowaną na pograniczu nauk technicznych, medycznych i biologicznych. Według opinii WHO (World Health Organization) można ją zaliczyć do głównych (obok inżynierii genetycznej) czynników decydujących o postępie współczesnej medycyny. Rosnące znaczenie kształcenia w zakresie INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ wynika z faktu, że specjaliści tej dyscypliny są potrzebni...
-
Katedra Automatyki Napędu Elektrycznego i Konwersji Energii
Research Potential* nieliniowe sterowanie maszynami elektrycznymi * napędy elektryczne o sterowaniu bez czujnikowym * sterowanie przekształtnikami energoelektronicznymi, w tym przekształtnikami na średnie napięcia i przekształtnikami sieciowymi * energoelektroniczne układy przetwarzania energii w odnawialnych źródłach energii * projektowanie i badanie falowników i przetwornic * projektowanie układów sterowania mikroprocesorowego z wykorzystaniem...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Research Potential* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (14)
Search results for: GFET
-
DS2
Business Offer -
Laboratorium Inżynierii Materiałowej, Fizyki Budowli i Technologii Betonu
Business Offernull 1. Wykonywanie orzeczeń, opinii oraz ekspertyz technicznych dotyczących materiałów budowlanych oraz konstrukcji inżynierskich. 2. Badania laboratoryjne i in-situ w celu określenia właściwości materiałów wykorzystywanych w budownictwie 3. Prowadzenie naukowych badań doświadczalnych elementów betonowych, żelbetowych i kompozytowych
-
Laboratorium Fizyki Zderzeń Elektronowych
Business OfferBadania oddziaływań nisko- i średnio-energetycznych elektronów z atomami i drobinami wieloatomowymi w różnych stanach skupienia
Other results Pokaż wszystkie wyniki (191)
Search results for: GFET
-
A current-controlled FET
PublicationA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Using Eye-tracking to get information on the skills acquisition by the radiology residents
PublicationThis paper describes the possibility of monitoring the progress of knowledge and skills acquisition by the students of radiology. It is achieved by an analysis of a visual attention distribution patterns during image-based tasks solving. The concept is to use the eye-tracking data to recognize the way how the radiographic images are read by recognized experts, radiography residents involved in the training program, and untrained...