Filters
total: 35
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (26)
Search results for: SCHOTTKY DIODE
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Research PotentialTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Research Potential* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Fotofizyki Układów Molekularnych
Research PotentialTematyka badawcza Zespołu jest związana z badaniem stanów wzbudzania elektronowego w układach molekularnych oraz podstawowych procesów elektronowych limitujących działanie ograniczonych diod elektroluminescencyjnych i ogniw fotowoltaicznych - pod kątem polepszenia ich parametrów technicznych.
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (9)
Search results for: SCHOTTKY DIODE
-
Laboratorium Nanomateriałów CZT
Business OfferBadanie właściwość powierzchni z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Business OfferProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
FPGA/VHDL
Business Offer
Other results Pokaż wszystkie wyniki (332)
Search results for: SCHOTTKY DIODE
-
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publication -
Probability distribution of flicker noise in AuNPdecorated graphene–Si Schottky barrier diode
PublicationWe present results of the probability distribution analysis of flicker noise generated in Au nanoparticle (AuNP) decorated graphene–Si Schottky barrier diodes with and without yellow light illumination (592 nm), close to the localized surface plasmon resonance in the AuNPs (586 nm). The AuNPs occupy imperfections in the single-layer graphene and reduce the flicker noise intensity generated in the graphene layer. The estimated probability...
-
Al-DIAMOND SCHOTTKY TUNNEL DIODES WITH BARRIER HEIGHT CONTROL
PublicationFew-nanometer-thick very highly boron-doped p-type layers were fabricated at metal-semiconductor interfaces of Schottky barrier diodes formed with aluminum on polycrystalline diamond. Preliminary results show that hermionically-assisted tunneling mechanism results in lower voltage drops at forward biasing of these diodes than expected for the Al-diamond metal-semiconductor potential barrier B. The effective barrier height Bpeff...
-
Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublicationOne of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are...
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publication