Search
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
Abstract
W pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- materiały konferencyjne indeksowane w Web of Science
- Title of issue:
- 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR COMMNICATIONS, PROCEEDINGS strony 316 - 319
- Language:
- English
- Publication year:
- 2002
- Bibliographic description:
- Kordalski W., Stefański T..: A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies., W: 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR COMMNICATIONS, PROCEEDINGS, 2002, ,.
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 70 times