Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr

Mathieu Bertin; Alicja Domaracka; Damian Pliszka; Anne Lafosse; Roger Azria

doi:10.1016/j.susc.2005.12.006

Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr

Abstract

Zbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa dodatkowe maksima: 117 i 233 meV.

Citations

5

CrossRef
0

Web of Science
4

Scopus

Authors (5)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Published in:: SURFACE SCIENCE no. 600, pages 847 - 850,
ISSN: 0039-6028
Language:: English
Publication year:: 2006
Bibliographic description:: Bertin M., Domaracka A., Pliszka D., Lafosse A., Azria R.: Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr// SURFACE SCIENCE. -Vol. 600., (2006), s.847-850
DOI:: Digital Object Identifier (open in new tab) 10.1016/j.susc.2005.12.006
Verified by:: Gdańsk University of Technology