Abstract
W pracy opisano właściwości elektryczne i mechaniczne cienkich warstw zawierających TiN. Warstwy tlenkowe TiO2 i TiO2-SiO2 zostały przygotowane metodą zol-żel i następnie poddane procesowi amonolizy. Przewodność elektryczna została zmierzona w zaktesie temperatur 10-900K. Warstwy o dużej zawartości TiN charakteryzują się małą energią aktywacji, poniżej 0,1eV. Badania wykazały dużą twardość próbek o wysokiej zawartości TiN.
Authors (3)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Language:
- English
- Publication year:
- 2005
- Bibliographic description:
- Kościelska B., Murawski L., Wicikowski L.: Electrical and mechanical properties of nitrided sol-gel derived TiO2 and SiO2-TiO2 films// . -., (2005),
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 112 times