Electrical and mechanical properties of nitrided sol-gel derived TiO2 and SiO2-TiO2 films

Barbara Kościelska; Leon Murawski; Leszek Wicikowski

Electrical and mechanical properties of nitrided sol-gel derived TiO2 and SiO2-TiO2 films

Abstrakt

W pracy opisano właściwości elektryczne i mechaniczne cienkich warstw zawierających TiN. Warstwy tlenkowe TiO2 i TiO2-SiO2 zostały przygotowane metodą zol-żel i następnie poddane procesowi amonolizy. Przewodność elektryczna została zmierzona w zaktesie temperatur 10-900K. Warstwy o dużej zawartości TiN charakteryzują się małą energią aktywacji, poniżej 0,1eV. Badania wykazały dużą twardość próbek o wysokiej zawartości TiN.

Autorzy (3)

Barbara Kościelska prof. dr hab. inż.
- Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej
- Politechnika Gdańska
Leon Murawski prof. dr hab. inż.
- Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej
- Politechnika Gdańska
Leszek Wicikowski dr inż.
- Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej
- Politechnika Gdańska

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Język:: angielski
Rok wydania:: 2005
Opis bibliograficzny:: Kościelska B., Murawski L., Wicikowski L.: Electrical and mechanical properties of nitrided sol-gel derived TiO2 and SiO2-TiO2 films// . -., (2005),
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska