Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

M. Fadlallah; Arkadiusz Szewczyk; C. Giannakopoulos; B. Cretu; F. Monsieur; T. Devoivre; J. Jomaah; G. Ghibaudo

Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

Abstract

W artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.

Authors (8)

M. Fadlallah
Arkadiusz Szewczyk dr inż.
C. Giannakopoulos
B. Cretu
F. Monsieur
T. Devoivre
J. Jomaah
G. Ghibaudo

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Published in:: MICROELECTRONICS RELIABILITY no. 41, edition 9-10, pages 1361 - 1366,
ISSN: 0026-2714
Language:: English
Publication year:: 2002
Bibliographic description:: Fadlallah M., Szewczyk A., Giannakopoulos C., Cretu B., Monsieur F., Devoivre T., Jomaah J., Ghibaudo G.: Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics// MICROELECTRONICS RELIABILITY. -Vol. 41., iss. 9-10 (2002), s.1361-1366
Verified by:: Gdańsk University of Technology