Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

M. Fadlallah; Arkadiusz Szewczyk; C. Giannakopoulos; B. Cretu; F. Monsieur; T. Devoivre; J. Jomaah; G. Ghibaudo

Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

Abstrakt

W artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.

Autorzy (8)

M. Fadlallah
Arkadiusz Szewczyk dr inż.
C. Giannakopoulos
B. Cretu
F. Monsieur
T. Devoivre
J. Jomaah
G. Ghibaudo

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Opublikowano w:: MICROELECTRONICS RELIABILITY nr 41, wydanie 9-10, strony 1361 - 1366,
ISSN: 0026-2714
Język:: angielski
Rok wydania:: 2002
Opis bibliograficzny:: Fadlallah M., Szewczyk A., Giannakopoulos C., Cretu B., Monsieur F., Devoivre T., Jomaah J., Ghibaudo G.: Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics// MICROELECTRONICS RELIABILITY. -Vol. 41., iss. 9-10 (2002), s.1361-1366
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska