Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

Abstrakt

W artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.

Autorzy (8)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Opublikowano w:
MICROELECTRONICS RELIABILITY nr 41, wydanie 9-10, strony 1361 - 1366,
ISSN: 0026-2714
Język:
angielski
Rok wydania:
2002
Opis bibliograficzny:
Fadlallah M., Szewczyk A., Giannakopoulos C., Cretu B., Monsieur F., Devoivre T., Jomaah J., Ghibaudo G.: Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics// MICROELECTRONICS RELIABILITY. -Vol. 41., iss. 9-10 (2002), s.1361-1366
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 17 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi