Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm

Wiesław Kordalski; Jacek Wiśniewski; Karolina Włodarczak

Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm

Abstract

W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.

Authors (3)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Jacek Wiśniewski
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Karolina Włodarczak mgr inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2005
Bibliographic description:: Kordalski W., Wiśniewski J., Włodarczak K.: Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm// / : , 2005,
Verified by:: Gdańsk University of Technology