Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

Wiesław Kordalski

Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

Abstract

Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.

Author (1)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne no. T. 16, pages 519 - 526,
ISSN: 1732-1166
Language:: Polish
Publication year:: 2008
Bibliographic description:: Kordalski W.: Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.519-526
Verified by:: Gdańsk University of Technology