Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

Abstract

Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Articles
Type:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne no. T. 16, pages 519 - 526,
ISSN: 1732-1166
Language:
Polish
Publication year:
2008
Bibliographic description:
Kordalski W.: Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.519-526
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 109 times

Recommended for you

Meta Tags