Wyszukiwarka
Abstrakt
Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 16,
strony 519 - 526,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2008
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W.: Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.519-526
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 109 razy