Didn't find any results in this catalog!
But we have some results in other catalogs.Filters
total: 994
-
Catalog
Search results for: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE MOCY
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Przyrządy półprzewodnikowe - laboratorium 2021/22zima
e-Learning Courses -
Przyrządy Półprzewodnikowe - laboratorium 2022/23 - Zima
e-Learning Courses -
Przyrządy Półprzewodnikowe - lab - 23/24 zima
e-Learning Courses -
Przyrządy Półprzewodnikowe 2023 - ACiR, IBM - sem. 2
e-Learning CoursesPrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2023 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2022 - ACiR, IBM - sem. 2
e-Learning CoursesPrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2022 dla studentów I stopnia, 1 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2024 - ACiR, IBM - sem. 2
e-Learning CoursesPrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2024 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublicationPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Grzegorz Lentka dr hab. inż.
PeopleGrzegorz Lentka obtained his MSc title in electronics, specialization Measurement Systems at Gdańsk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics in 1996. He obtained the PhD title in 2003 and habilitation in 2014, respectively. Currently he is an professor in Department of Metrology and Optoelectronics. His main scientific interests are focused on digital signal processing for metrology,...
-
Noise in semiconductor devices
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.