Search
Didn't find any results in this catalog!
But we have some results in other catalogs.Filters
total: 4108
displaying 1000 best results Help
Search results for: SMALL SIGNAL SATURATION
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Small-signal admittance for Schottky-Richardson emission into an organic layer
PublicationPraca przedstawia małosygnalową admitancję emisji Schottky'ego-Richardsona do warstwy organicznej. Analiza obejmuje obie składowe zespolonej odpowiedzi.
-
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
PublicationA novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublicationZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Small signal admittance spectroscopy applied for extraction of charge carrier mobility in thin organic layers
PublicationPraca przedstawia nowy sposób wyznaczania ruchliwości nośników ładunku w cienkich warstwach organicznych w oparciu o pomiary widm małosygnałowej admitancji.
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublicationW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
On small signal capacitance spectra of organic diode formed by ITO-palladium phthalocyanine-Al sandwich system
PublicationPraca poświęcona jest widmom małosygnalowej pojemności w zakresie 25 Hz-1 MHz i charakterystyce prądowo-napięciowej planarnego układu utworzonego przez ITO/ftalocyanina palladu/Al.
-
Small signal spectra of complex capacitance obtained on organic heterojunction formed from copper phthalocyanine and perylene dye
PublicationPraca przedstawia małosygnałowe widma zespolonej pojemności otrzymane na strukturze z heterozłączem organicznym CuPc/Py-PTC w zakresie 25Hz-1MHz.
-
Electric transport in organic system with planar DBP/F16ZnPc junction on the basis of direct current and small signal admittance spectra analysis
PublicationThe objective of this work was to determine electric transport in the organic device based on a planar junction of electron donor and electron acceptor materials, namely ITO/MoO3/DBP/F16ZnPc/BCP/Ag. The analysis reported herein was based on direct current-voltage measurements and small-signal admittance spectra in the dark and under illumination. Such analysis may provide information on potential barriers, parasitic resistances...