Search results for: HETEROEPITAXY
Found little results, maybe try searching with alternative method.
Search results for: HETEROEPITAXY
-
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
PublicationPrzeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.