Search
Filters
total: 14
Search results for: STRUKTURA ELEKTRONOWA
-
Electronic structure and charge distribution in DyBa2Cu3O7: The ab initio approach
PublicationW pracy wykonano obliczenia kwantowomechaniczne struktury elektronowej nadprzewodzącego materiału DyBa2Cu3O7 (Dy123) metodą FP-LAPW (full potential - linearized augmented plane wave) w ramach formalizmu DFT (density functional theory) stosując przybliżenie GGA (generalized gradient approximation). Ze względu na silne oddziaływania korelacyjne elektronów 4f w atomie Dy zastosowano dodatkowo poprawkę kulombowską U w ramach modelu...
-
Tomasz Klimczuk prof. dr hab. inż.
PeopleStopnie naukowe i zawodowe dr hab. (2008) Wydz. FTiMS PG dr (2001) Wydz. FTiMS PG inż. (1997) Wydz. ZiE PG mgr inż. (1995 )Wydz. FTiMS PG Zatrudnienie grudzień 2013 – do chwili obcecnejprofesor nadzwyczajny na Wydziale Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Politechniki Gdańskiej wrzesień 2012 – grudzień 2013 adiunkt na Wydziale Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Politechniki Gdańskiej wrzesień 2009 – sierpień 2012grant-holder...
-
Piotr Skurski prof. dr hab.
PeoplePiotr Stanisław Skurski (ur. 25 sierpnia 1969 w Gdańsku) – polski chemik specjalizujący się w chemii kwantowej i fizycznej, profesor nauk chemicznych, profesor zwyczajny Wydziału Chemii Uniwersytetu Gdańskiego, kierownik Katedry Chemii Teoretycznej i Pracowni Chemii Kwantowej na tym wydziale, a także Professor of Chemistry w Henry Eyring Center for Theoretical Chemistry na Uniwersytecie Utah w Stanach Zjednoczonych. W latach 2011-2016 członek...
-
Cross section calculations for electron impact ionization and elastic scattering from cisplatin
PublicationCałkowity przekrój czynny na jednokrotną jonizację cisplatyny (H6N2Cl2Pt) w zderzeniach z elektronami został obliczony przy wykorzystaniu modelu BEB (binary-encounter-Bethe) dla energii zderzenia od progu na jonizację do 5 keV. W celu uzyskania danych niezbędnych w modelu BEB, geometryczna i elektronowa struktura cisplatyny została przebadana metodami chemii kwantowej. Obliczono również przekrój czynny na sprężyste rozproszenie...
-
Charge Distribution and Hyperfine Interactions in GdBa2Cu3O7 from First Principles
PublicationW rozdziale przedstawiono wyniki obliczeń "z zasad pierwszych" (''ab initio'') struktury elektronowej, rozkładu ładunku i struktury nadsubtelnej, w szczególności gradientu pola elektrycznego (EFG) i składnika kontaktowego pola nadsubtelnego (HFF), nadprzewodnika wysokotemperaturowego o wzorze GdBa2Cu3O7 (Gd123). Do obliczeń wykorzystano metodę FP-LAPW (full-potential linearized augmented plane wave). Efekty związane z oddziaływaniami...
-
RECENT ADVANCES IN GRAPHENE APPLICATION FOR ELECTRONIC SENSING
PublicationThe great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were...
-
The lanthanide influence on selected properties of BaLnCo2O6-δ
PublicationThe subject of research of this dissertation are cobalt oxides with a double perovskite structure with a general formula BaLnCo2O6-δ, where Ln stands for La, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy. The aim of the study was to verify the ability of these materials to form the protonic defects, as well as to identify the factors determining this ability. As part of the work, materials from the proposed group were synthesised and characterized. To...
-
Analiza strukturalna silanotiolanów : wpływ centrów kwasowych na zmiany w układzie wiązań SI-O-C oraz SI-S grupy sialkoksysilanotiolanowej w ciele stałym / J. Chojnacki.
PublicationW pracy przedstawiono wyniki badań strukturalnych silanotiolanów metali. Wyniki pochodzące z rentgenowskiej analizy strukturalnej zostały zinterpretowane w oparciu o rezultaty obliczeń kwantowo-mechanicznych. Wyznaczono 46 nowych struktur rentgenowskich silanotiolanów i przeanalizowano je łącznie z wynikami badań strukturalnych innych autorów. Zebrano i usystematyzowano wyniki rentgenowskiej analizy strukturalnej dla wszystkich...
-
DFT and NBO theoretical study of protonation of tri-tert-butoxysilanethiol and its anion
PublicationWykonano obliczenia kwantowo-chemiczne metodą DFT dla tri-tert-butoksysilanotiolu oraz jego protonowanych i deprotonowanych form, zarówno na atomie tlenu jak i siarki. Przeanalizowano bilans energetyczny dla protonowania anionu w próżni i w fazie wodnej (stosując model IPCM). Zaobserwowano skrócenie wiązania Si-S w wyniku protonowania na atomie tlenu. Zmiany długości wiązań Si-O i Si-S zostały zinterpretowane w oparciu o analizę...
-
Crystal structure and electronic structure of CePt2In7
PublicationWe report a corrected crystal structure for the CePt2In7 superconductor, refined from single crystal x-ray diffraction data. The corrected crystal structure shows a different Pt–In stacking along the c-direction in this layered material than was previously reported. In addition, all of the atomic sites are fully occupied with no evidence of atom site mixing, resolving a discrepancy between the observed high resistivity ratio of...
-
Superconducting properties and electronic structure of NaBi
PublicationResistivity, dc magnetization, and heat capacity measurements are reported for superconducting NaBi. Tc, the electronic contribution to the specific heat γ, the ΔCp/γTc ratio, and the Debye temperature are found to be 2.15 K, 3.4 mJ mol−1 K−2, 0.78, and 140 K respectively. The calculated electron–phonon coupling constant (λep = 0.62) implies that NaBi is a moderately coupled superconductor. The upper critical field and coherence...
-
Electronic structure of TbBa2Cu3O7
PublicationW pracy wykonano obliczenia kwantowomechaniczne struktury elektronowej hipotetycznego materiału TbBa2Cu3O7 (Dy123) metodą FP-LAPW (full potential - linearized augmented plane wave) w ramach formalizmu DFT (density functional theory) stosując przybliżenie GGA (generalized gradient approximation). Ze względu na silne oddziaływania korelacyjne elektronów 4f w atomie Tb zastosowano dodatkowo poprawkę kulombowską U w ramach modelu...
-
Electronic structure of PrBa2Cu3O7 after high-pressure compressionfrom first principles
PublicationW pracy zbadano wpływ ściskania wysokociśnieniowego (P=9GPa) na elektronową strukturę pasmową, rozkład ładunku i momenty magnetyczne w pełni utlenionego stechiometrycznego układu PrBa2Cu3O7. Zaobserwowano następujące zmiany wywołane ściskaniem: (1) zmniejszoną gęstość stanów (DOS) na poziomie Fermiego Ef, (2) zwiększona różnicę pomiędzy wartościami DOS dla stanów "spin-up" i "spin-down" w najbliższym otoczeniu Ef, (3) zmniejszone...
-
Electronic structure of CeBa2Cu3O7.
PublicationPrzeprowadzono obliczenia ab initio struktury elektronowej związku CeBa2Cu3-O7(Ce123) metodą LAPW oraz porównano z analogicznymi strukturami otrzymanymi dla YBa2Cu3O7 (Y123), NdBa2Cu3O7(Nd123) i PrBa2Cu3O7(Pr123). Wszystkie wyliczone struktury pasmowe są zasadniczo podobne. W pracy postawiono hipotezę dotyczącą korelacji pomiędzy silnym rozszczepieniem spinowym w Pr123 i Ce123a niestabilnością strukturalną tych układów.