Search
Search results for: AMINOLIZA
-
Electrical conductivity of NbN-SiO2 films obtained by ammonolysis of Nb2O5-SiO2 sol-gel derived coatings
PublicationW pracy przedstawiono badania przewodnictwa elektrycznego (w zakresie 5-280K) warstw NbN-SiO2 o grubości 450 nm. Warstwy uzyskano poprzez azotowanie otrzymanych metodą zol-żel warstw Nb2O5-SiO2, o różnym stosunku molowym Nb2O5/SiO2. Azotowanie takich warstw w temperaturze 1200C prowadzi do otrzymania metalicznych granul NbN w amorficznej matrycy SiO2. Struktura warstw była badana mikroskopem sił atomowych (AFM) oraz metodą dyfrakcji...
-
Superconducting properties of an NbN-SiO2 disordered system obtained by ammonolysis of NbN-SiO2 sol-gel derived coatings
PublicationW pracy przedstawiono wyniki badań właściwości nadprzewodzących warstw NbN-SiO2. Warstwy uzyskano poprzez azotowanie w temperaturze 1200C otrzymanych metodą zol-żel warstw Nb2O5-SiO2, o różnym stosunku molowym Nb2O5/SiO2. Badania rezystywne przeprowadzono w zakresie temperatur 5-280K. Przeprowadzono również badania absorpcji mikrofal (MMMA). Właściwości nadprzewodzące otrzymanych próbek silnie zależą od grubości warstw jak również...
-
Synteza poliuretanu z udziałem biomonomerów i jego recykling chemiczny
PublicationPrzeprowadzono recykling chemiczny (aminoliza i glikoliza) zsyntezowanego wcześniej poliuretanu, otrzymanego z wykorzystaniem surowców pochodzenia naturalnego, oraz zbadano podstawowe właściwości otrzymanych produktów depolimeryzacji chemicznej. Poliuretan otrzymano metodą prepolimerową, wykorzystując surowce pochodzenia naturalnego, czyli poliol PriplastTM 1838 i diizocyjanian TolonateTM X FLO 100. Łańcuchy prepolimeru uretanowego...
-
Electrical and mechanical properties of nitrided sol-gel derived TiO2 and SiO2-TiO2 films
PublicationW pracy opisano właściwości elektryczne i mechaniczne cienkich warstw zawierających TiN. Warstwy tlenkowe TiO2 i TiO2-SiO2 zostały przygotowane metodą zol-żel i następnie poddane procesowi amonolizy. Przewodność elektryczna została zmierzona w zaktesie temperatur 10-900K. Warstwy o dużej zawartości TiN charakteryzują się małą energią aktywacji, poniżej 0,1eV. Badania wykazały dużą twardość próbek o wysokiej zawartości TiN.