Filtry
wszystkich: 32
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (24)
Wyniki wyszukiwania dla: DIODY SCHOTTKY´EGO
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Potencjał BadawczyBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (8)
Wyniki wyszukiwania dla: DIODY SCHOTTKY´EGO
-
Laboratorium Nanomateriałów CZT
Oferta BiznesowaBadanie właściwość powierzchni z wykorzystaniem mikroskopu sił atomowych
-
Laboratorium Materiałów Optoelektronicznych Innowacyjnych Materiałów i Displejów – Centrum Zaawansowanych Technologii
Oferta BiznesowaStanowisko do optycznych nieinwazyjnych badań właściwości i charakteryzacji materiałów i elementów pozwalające na optymalizację technologii ich wytwarzania i rozszerzenie domeny ich zastosowań z wykorzystaniem:; • optycznej tomografii koherentnej – jest to metoda umożliwiająca nieinwazyjne badania cienkich warstw i elementów,; • spektroradiometrii – jest to metoda umożliwiająca badania właściwości displejów, źródeł światła i elementów...
-
Laboratorium Maszyn i Systemów Okrętowych
Oferta BiznesowaBadania procesów i zjawisk w czasie realizacji obiegu roboczego w silniku z zapłonem samoczynnym dla potrzeb diagnostyki maszyn tłokowych.
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (104)
Wyniki wyszukiwania dla: DIODY SCHOTTKY´EGO
-
Selection of measurement frequency in Mott-Schottky analysis of passive layer on nickel
PublikacjaPrzedstawiono zależności Mott'a - Schottky'ego dla różnych częstotliwości pomiarowych. Kształt uzyskanych zależności zależy od doboru tych częstotliwości. Związane jest to z tym, że stężenie defektów w warstwie pasywnej zależy od doboru częstotliwości. Metoda DEIS pozwala na uniknięcie tych niedogodności.
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublikacjaArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Enhanced gas sensing by graphene-silicon Schottky diodes under UV irradiation
PublikacjaThe effect of ultraviolet (UV) or blue irradiation on graphene/n-doped silicon Schottky junctions toward gas sensing was investigated. Schottky diodes were subjected to oxidizing nitrogen dioxide (NO2, 1–3 ppm) and reducing tetrahydrofuran (THF, 50–200 ppm), showing significantly different responses observed on the currentvoltage (I-V) characteristics, especially under UV light (275 nm). NO2 affected the resistive part of the forward region...
-
Al-DIAMOND SCHOTTKY TUNNEL DIODES WITH BARRIER HEIGHT CONTROL
PublikacjaFew-nanometer-thick very highly boron-doped p-type layers were fabricated at metal-semiconductor interfaces of Schottky barrier diodes formed with aluminum on polycrystalline diamond. Preliminary results show that hermionically-assisted tunneling mechanism results in lower voltage drops at forward biasing of these diodes than expected for the Al-diamond metal-semiconductor potential barrier B. The effective barrier height Bpeff...
-
Low-frequency noise in Au-decorated graphene–Si Schottky barrier diode at selected ambient gases
PublikacjaWe report results of the current–voltage characteristics and low-frequency noise in Au nanoparticle (AuNP)-decorated graphene–Si Schottky barrier diodes. Measurements were conducted in ambient air with addition of either of two organic vapors, tetrahydrofuran [(CH2)4O; THF] and chloroform (CHCl3), as also during yellow light illumination (592nm), close to the measured particle plasmon polariton frequency of the Au nanoparticle...