Wyniki wyszukiwania dla: HETEROEPITAXY
Nie znaleźliśmy wyników w tym kontekście ale mamy wyniki w innym!
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (1)
Wyniki wyszukiwania dla: HETEROEPITAXY
-
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
PublikacjaPrzeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.