Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 14
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (14)
Wyniki wyszukiwania dla: MOS
-
Zespół Systemów Geoinformatycznych
Potencjał BadawczyW katedrze prowadzone są badania naukowe w zakresie szeroko rozumianych Systemów Informacji Geograficznej (GIS). Tematyka badań obejmuje zastosowanie GIS w technologiach bezpieczeństwa, wizualizacje i analizy przestrzenne, systemy numerycznego prognozowania pogody, technologie nawigacji w ramach mobilnych systemów informacji przestrzennej, oraz zaawansowane techniki obrazowania satelitarnego. Katedra kontynuuje również badania...
-
Katedra Transportu Szynowego i Mostów
Potencjał BadawczyDziałalność naukowa Zespołu Transportu Szynowego, kierowanego bezpośrednio przez prof. dr hab. inż. Eligiusza Mieloszyka, związana jest z diagnostyką nawierzchni szynowych, przepustowością infrastruktury kolejowej, zarządzaniem ryzykiem w transporcie oraz pomiarami satelitarnymi. Prace naukowe Zespołu Mostów dotyczą teorii projektowania, budowy i utrzymania obiektów mostowych oraz konstrukcji inżynierskich. Zespół realizuje prace...
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (873)
Wyniki wyszukiwania dla: MOS
-
A Method of MOS Evaluation for Video Based Services
PublikacjaThis paper deals with a method for QoE evaluation for the services transmitting large amount of data perceived by the end user in relatively short time periods, e.g. streaming video in mobile operator...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublikacjaZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
PublikacjaZaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.