Filtry
wszystkich: 147
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (109)
Wyniki wyszukiwania dla: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS, GAN TRANSISTORS, POWER TRANSISTORS, OVERCURRENT PROTECTION, SMPS, GATE CIRCUIT
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (38)
Wyniki wyszukiwania dla: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS, GAN TRANSISTORS, POWER TRANSISTORS, OVERCURRENT PROTECTION, SMPS, GATE CIRCUIT
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Laboratorium Wysokich Napięć
Oferta BiznesowaBadania układów probierczych i pomiarowych stosowanych w technice wysokiego napięcia
-
Laboratorium Analiz Pracy Systemów Elektroenergetycznych
Oferta BiznesowaModelowanie i analiza stanów pracy systemu elektroenergetycznego, w oparciu o specjalistyczne oprogramowanie
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (4594)
Wyniki wyszukiwania dla: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS, GAN TRANSISTORS, POWER TRANSISTORS, OVERCURRENT PROTECTION, SMPS, GATE CIRCUIT
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter
PublikacjaA promising solution for inductive power transfer and wireless charging is presented on the basis of a single-phase three-level T-type Neutral Point Clamped GaN-based inverter with two coupled transmitting coils. The article focuses on the feasibility study of GaN transistor application in the wireless power transfer system based on the T-type inverter on the primary side. An analysis of power losses in the main components of the...
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublikacjaThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Thermal and Electrodynamic Risk of Residual Current Devices in the Case of Back-Up Protection by Overcurrent Circuit Breakers
PublikacjaResidual current operated circuit breakers without integral overcurrent protection should be back-up protected. As back-up protection devices, overcurrent circuit breakers are used. The maximum let-through energy and let-through current of the overcurrent devices were evaluated under laboratory conditions. The thermal and electrodynamic risk of residual current devices was analyzed.
-
Asynchronous Charge Carrier Injection in Perovskite Light-Emitting Transistors
PublikacjaUnbalanced mobility and injection of charge carriers in metal-halide perovskite light-emitting devices pose severe limitations to the efficiency and response time of the electroluminescence. Modulation of gate bias in methylammonium lead iodide light-emitting transistors has proven effective in increasing the brightness of light emission up to MHz frequencies. In this work, a new approach is developed to improve charge carrier...