Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 128
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (95)
Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (33)
Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Inteligentnej Energetyki LAB-6
Oferta BiznesowaKompatybilność elektromagnetyczna urządzeń elektrycznych i elektronicznych, jakość energii, efektywność energetyczne, bezpieczeństwo użytkowania urządzeń, badania instalacji elektrycznych niskiego napięcia.
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (2685)
Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublikacjaThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter
PublikacjaA promising solution for inductive power transfer and wireless charging is presented on the basis of a single-phase three-level T-type Neutral Point Clamped GaN-based inverter with two coupled transmitting coils. The article focuses on the feasibility study of GaN transistor application in the wireless power transfer system based on the T-type inverter on the primary side. An analysis of power losses in the main components of the...
-
Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch
PublikacjaGaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...
-
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
PublikacjaThis paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...