Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 100
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (79)
Wyniki wyszukiwania dla: modelowanie elementow polprzewodnikowych
-
Katedra Inżynierii Elektrycznej Transportu
Potencjał Badawczy* Diagnostyka techniczna i monitoring w systemach transportu zelektryfikowanego * Metody diagnostyki technicznej i monitoringu odbieraków prądu oraz górnej sieci trakcyjnej, w szczególności metody wizyjne * Modele matematyczne i symulacyjne odbieraków prądu i górnej sieci trakcyjnej * Modelowanie i analiza elektrotrakcyjnych układów zasilania * Modelowanie i sterowanie napędami elektrycznymi pojazdów * Redukcja zużycia energii...
-
Zespół Technologii Sieciowych i Inżynierii Bezpieczeństwa
Potencjał Badawczy1. Analizy bezpieczeństwa funkcjonalnego infrastruktury krytycznej; 2. Modelowanie, synteza oraz projektowanie systemów monitorowania, sterowania i automatyki zabezpieczeniowej z wykorzystaniem techniki mikroprocesorowej, sterowników programowalnych PLC i systemów informatycznych; 3. Diagnostyka i zarządzanie procesami eksploatacji systemów technicznych.
-
Zespół Automatyki i Techniki Cyfrowej
Potencjał Badawczy1. Modelowanie i badania symulacyjne elementów składowych, podsystemów i systemów energetycznych statków; 2. Opracowanie koncepcji, budowa mechatronicznego urządzenia diagnostycznego ciągnika kołowego.
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (21)
Wyniki wyszukiwania dla: modelowanie elementow polprzewodnikowych
-
Laboratorium Analiz Pracy Systemów Elektroenergetycznych
Oferta BiznesowaModelowanie i analiza stanów pracy systemu elektroenergetycznego, w oparciu o specjalistyczne oprogramowanie
-
Laboratorium Badawcze 2-3
Oferta BiznesowaObliczenia komputerowe wymagające dużych mocy obliczeniowych z wykorzystaniem oprogramowania typu: Matlab, Tomlab, Gams, Apros.
-
Laboratorium LINTE^2
Oferta BiznesowaBadania w zakresie elektroenergetyki, energoelektroniki i przyłączania nowoczesnych źródeł energii do sieci elektroenergetycznej
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (1057)
Wyniki wyszukiwania dla: modelowanie elementow polprzewodnikowych
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.
PublikacjaZaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublikacjaZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
Modelowanie Inżynierskie
Czasopisma -
Impregnation vibro-pressed concrete pavement bricks.
PublikacjaW materiałach przedstawiono wyniki badań uzyskanych podczas prób impregnacji wibroprasowanych elementów betonowych. Celem badań było określenie odpowiedniego składu kompozycji impregnacyjnej, aby uzyskać najlepszy efekt zabezpieczenia powierzchni betonu przed wnikaniem cieczy organicznych np. oleju mineralnego.