Filtry
wszystkich: 157
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (109)
Wyniki wyszukiwania dla: GAN-TRANSISTORS
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Potencjał Badawczy* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (48)
Wyniki wyszukiwania dla: GAN-TRANSISTORS
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Oferta BiznesowaProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Laboratorium LINTE^2
Oferta BiznesowaBadania w zakresie elektroenergetyki, energoelektroniki i przyłączania nowoczesnych źródeł energii do sieci elektroenergetycznej
-
Laboratorium Maszyn i Systemów Okrętowych
Oferta BiznesowaBadania procesów i zjawisk w czasie realizacji obiegu roboczego w silniku z zapłonem samoczynnym dla potrzeb diagnostyki maszyn tłokowych.
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (13470)
Wyniki wyszukiwania dla: GAN-TRANSISTORS
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublikacjaThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Design Considerations of GaN Transistor Based Capacitive Wireless Power Transfer System
Publikacja -
Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter
PublikacjaA promising solution for inductive power transfer and wireless charging is presented on the basis of a single-phase three-level T-type Neutral Point Clamped GaN-based inverter with two coupled transmitting coils. The article focuses on the feasibility study of GaN transistor application in the wireless power transfer system based on the T-type inverter on the primary side. An analysis of power losses in the main components of the...
-
Study of ZrS3-based field-effect transistors toward the understanding of the mechanisms of light-enhanced gas sensing by transition metal trichalcogenides
PublikacjaExtending knowledge of the properties of low-dimensional van der Waals materials, including their reactivity to the ambiance, is important for developing innovative electronic and optoelectronic devices. Transition metal trichalcogenides with tunable optical band gaps and anisotropic conductivity are an emerging class among low- dimensional structures with the possibility of gate tunability and photoreactivity. These properties...