Filtry
wszystkich: 40
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (30)
Wyniki wyszukiwania dla: MICROWAVE MOSFETS
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Potencjał Badawczy* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Katedra Automatyki Napędu Elektrycznego i Konwersji Energii
Potencjał Badawczy* nieliniowe sterowanie maszynami elektrycznymi * napędy elektryczne o sterowaniu bez czujnikowym * sterowanie przekształtnikami energoelektronicznymi, w tym przekształtnikami na średnie napięcia i przekształtnikami sieciowymi * energoelektroniczne układy przetwarzania energii w odnawialnych źródłach energii * projektowanie i badanie falowników i przetwornic * projektowanie układów sterowania mikroprocesorowego z wykorzystaniem...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (10)
Wyniki wyszukiwania dla: MICROWAVE MOSFETS
-
Laboratorium Zaawansowanych Procesów Plazmochemicznych
Oferta BiznesowaZastosowanie zimnej plazmy atmosferycznej w agrotechnice, nanotechnologii, chemii żywności, inżynierii powierzchni, inżynierii materiałowej, biomedycynie, inżynierii środowiska. Miniaturyzacja systemów plazmowych stosoowanych w analitycznej spektrometrii atomowej. Niekonwencjonalne metody prowadzania próbek do spektrometrów.
-
Środowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych
Oferta BiznesowaŚrodowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych powstało w ramach realizacji projektu CZT Centrum Zaawansowanych Technologii POMORZE i mieści się w Katedrze Inżynierii Mikrofalowej i Antenowej na Wydziale Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Laboratorium zostało wyposażone w specjalistyczne zaplecze aparaturowe, które w połączeniu z kompetencjami naukowymi i technologicznymi kadry pozwala na...
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (644)
Wyniki wyszukiwania dla: MICROWAVE MOSFETS
-
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Czasopisma -
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS
Czasopisma -
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS
Czasopisma -
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.