Wyszukiwarka
Opis
The ultra-thin layers of Al2O3 were deposited on a silicon substrates. The method of atomic layer deposition (Beneq TFS 200 ALD system) was chosen as the proper method of dielectric layer deposition. This method provides precise thickness control down to a single atomic layer. The precursors used were trimethylaluminum (Sigma-Aldrich) and purified water. The deposition of the atomic layer was carried out at 200 °C. Samples with a thickness of 2 and 8 nm of alumina were selected for the tests. A high-resolution transmission electron microscope TALOS F200X (HR TEM) equipped with an EDS detector was used for cross-section imaging and chemical composition analyzes.
A thin layer of natural silicon oxides with a thickness of approx. 2 nm can be detected on the surface of the silicone substrate. The area with a mixture of oxygen, silicon and aluminum concentrations is also clearly visible. The thickness of the aluminum silicate phase boundary was calculated for approx. 1.7 and 4.5 nm for 2 nm and 8 nm films, respectively.
Plik z danymi badawczymi
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcie
CC BYUznanie autorstwa - Dane surowe:
- Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
- Oprogramowanie:
- origin
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-07-13
- Data wytworzenia:
- 2019
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/mn8m-by57 otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 59 razy