Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY Z GAAS

• GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications

  Publikacja

  • P. Płotka
  • J. Nishizawa

  - Rok 2008

  Przy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...

• Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • B. Ściana
  • I. Zborowska-Lindert
  • M. Tłaczała

  - Rok 2007

  A novel concept of the drain separation design in a horizontally-split-drain GaAs MAGFET sensor, based on epitaxial layer growth, was developed. Proper choice of GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layer sequence provided good electrical isolation between the drain regions. The measured leakage current between the drain regions was in the range of nA for up to 2V drain voltage bias difference. Performed analytical and numerical calculations...