Przedstawiono metodę wyznaczania dwóch wskaźników diagnostycznych, które mogą być używane do oceny zużycia modułów IGBT dużej mocy. Proponowane podejście jest próbą zaadaptowania znanej z literatury metody laboratoryjnej do pracy bezpośrednio w układzie napędowym pojazdu trakcyjnego. Rozważane wskaźniki diagnostyczne to rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT....

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...

Przedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji nieprzewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne małej mocy. Metoda bazuje na monitorowaniu wartości dwóch sygnałów dia-gnostycznych. Pierwszy z nich, wskaźnik braku przepływu prądu, wykorzystano w celu detekcji uszkodzeń. Drugi, stosunek wartości średniej prądu do wartości średniej bezwzględnej, zawiera informacje umożliwiające lokalizację uszkodzonych...