Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy

Wojciech Śleszyński; Janusz Nieznański; Artur Cichowski; Jarosław Łuszcz; Andrzej Wojewódka

Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy

Abstract

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT.

Authors (5)

Wojciech Śleszyński dr inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology
Janusz Nieznański prof. dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology
Artur Cichowski dr inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology
Jarosław Łuszcz dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology
Andrzej Wojewódka mgr inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Published in:: Przegląd Elektrotechniczny pages 390 - 394,
ISSN: 0033-2097
Language:: Polish
Publication year:: 2010
Bibliographic description:: Śleszyński W., Nieznański J., Cichowski A., Łuszcz J., Wojewódka A.: Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 2 (2010), s.390-394
Verified by:: Gdańsk University of Technology