Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy

Abstrakt

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT.

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
Przegląd Elektrotechniczny strony 390 - 394,
ISSN: 0033-2097
Język:
polski
Rok wydania:
2010
Opis bibliograficzny:
Śleszyński W., Nieznański J., Cichowski A., Łuszcz J., Wojewódka A.: Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 2 (2010), s.390-394
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 33 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi