Wyszukiwarka
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
Abstrakt
W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu IGBT typu BUP203 wykonano w układzie przerywacza z pojedynczym tranzystorem.
Autorzy (2)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Tytuł wydania:
- VIII Międznarodowe Warsztaty Doktoranckie OWD`2006 : pod patronatem Dziekanów Wydziałów Elektrycznych, Elektroniki i Informatyki, IET - The Institution of Engineering and Technology. Vol. 2 strony 241 - 246
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2006
- Opis bibliograficzny:
- Turzyński M., Chrzan P.: Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems// VIII Międznarodowe Warsztaty Doktoranckie OWD`2006 : pod patronatem Dziekanów Wydziałów Elektrycznych, Elektroniki i Informatyki, IET - The Institution of Engineering and Technology. Vol. 2/ ed. org. Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretucznej i Stosowanej Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej w Gliwicach (et al.). [Gliwice: Komitet Organizacyjny Sympozjum PPEE i Seminarium BSE], 2006, s.241-246
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 127 razy