Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego

Krzysztof Iwan; Marek Turzyński; Piotr Chrzan

Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego

Abstract

Przedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.

Authors (3)

Krzysztof Iwan dr inż.
- Faculty of Electrical and Control Engineering
- Gdańsk University of Technology
Marek Turzyński dr hab. inż.
- Faculty of Electrical and Control Engineering
- Gdańsk University of Technology
Piotr Chrzan prof. dr hab. inż.
- Faculty of Electrical and Control Engineering
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2005
Bibliographic description:: Iwan K., Turzyński M., Chrzan P.: Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego // / : , 2005,
Verified by:: Gdańsk University of Technology