Search
Filters
total: 10
Search results for: ISFET
-
Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET
PublicationOpracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...
-
Excitation-independent constant conductance isfet driver
PublicationA new constant conductance driver for ISFETs sensors has been developed. The proposed circuit maintains the sensor operating point at constant drain-source conductance. The combination of a simple, self-balancing resistance bridge and the subtraction half (or similar fraction) of source-drain voltage from the gate-source voltage provides the independence of output signal from current and voltage drivers instability. The use of...
-
Zastosowanie przetworników jonoczułych typu isfet w bezprzewodowych sieciach sensorowych
PublicationW pracy przedstawiono zasadę działania pH-metrycznych czujników ISFET, ich istotne układy pracy oraz wady i zalety w analizie elektrochemicznej w środowiskach wodnych i niewodnych. Określono wymagania dla przetworników pracujących w warunkach polowych, poza laboratorium. Przedstawiono technologię bezprzewodowych sieci sensorowych. Zaproponowano układ węzła sensorowego ze skompensowanym termicznie różnicowym przetwornikiem ISFET...
-
Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency
PublicationA new method of detection and measurement with sub-nanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the ISFET's gate dielectric was presented. The sensitivity of this method is high enough to detect even partial mono-layer covering. The transconductance measurement of the ISFET provides independence of the output signal from pH changes and the driving electrode electrochemical potential instabilities. The stable reference electrode...
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublicationThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
PeoplePiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
Measurements of Subnanometer Molecular Layers
PublicationSelected methods of formation and detection of nanometer and subnanometer molecular layers were shown. Additionally, a new method of detection and measurement with subnanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the gate dielectric of the ion selective field effect transistor (ISFET) was presented.
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublicationW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Retained features of embryonic metabolism in the adult MRL mouse
PublicationThe MRL mouse is an inbred laboratory strain that was derived by selective breeding in 1960 from the rapidly growing LG/J (Large) strain. MRL mice grow to nearly twice the size of other commonly used mouse strains, display uncommonly robust healing and regeneration properties, and express later onset autoimmune traits similar to Systemic Lupus Erythematosis. The regeneration trait (heal) in the MRL mouse maps to 14-20 quantitative...
-
Bożena Kostek prof. dr hab. inż.
People