Filtry
wszystkich: 101
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (81)
Wyniki wyszukiwania dla: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW POŁPRZEWODNIKOWYCH
-
Katedra Metrologii i Systemów Informacyjnych
Potencjał Badawczy* Diagnostyka silników elektrycznych i magnesów nadprzewodzących * Metody pomiaru impedancji zwarciowej * Zastosowania modulowanych częstotliwościowo sygnałów impulsowych * Pomiary dla diagnostyki medycznej * Ocena niepewności pomiaru * Zastosowanie grafenu do wykrywania elektronicznego
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Wysokich Napięć
Potencjał Badawczy1. Urządzenia ograniczające prądy zwarciowe; 2. Symulacja zjawisk zachodzących w nieliniowych obwodach zwarciowych; 3. Dynamika łuku zwarciowego; 4. Mechanizmy degradacji izolacji polimerowej i złożonej; 5. Ochrona przeciwporażeniowa i przeciwprzepięciowa linii elektroenergetycznych wysokiego napięcia; 6. Jakość energii w systemach elektroenergetycznych.
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (20)
Wyniki wyszukiwania dla: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW POŁPRZEWODNIKOWYCH
-
Laboratorium Wysokich Napięć
Oferta BiznesowaBadania układów probierczych i pomiarowych stosowanych w technice wysokiego napięcia
-
Laboratorium Analiz Pracy Systemów Elektroenergetycznych
Oferta BiznesowaModelowanie i analiza stanów pracy systemu elektroenergetycznego, w oparciu o specjalistyczne oprogramowanie
-
Laboratorium Badawcze 2-3
Oferta BiznesowaObliczenia komputerowe wymagające dużych mocy obliczeniowych z wykorzystaniem oprogramowania typu: Matlab, Tomlab, Gams, Apros.
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (1046)
Wyniki wyszukiwania dla: MODELOWANIE PRZYRZĄDÓW POŁPRZEWODNIKOWYCH
-
Fizyka przyrządów półprzewodnikowych
Kursy OnlineKurs "Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2023/2024" Kierunek: Fizyka Techniczna Wydział FTiMS stopień I, semestr 5
-
Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2022/2023
Kursy OnlineStacjonarne I stopnia Kurs "Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2022/2023" Kierunek: Fizyka Techniczna Wydział FTiMS stopień I, semestr 5
-
Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2021/2022
Kursy OnlineStacjonarne I stopnia Kurs "Fizyka przyrządów półprzewodnikowych - 2021/2022" Kierunek: Fizyka Techniczna Wydział FTiMS stopień I, semestr 5
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublikacjaZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.