Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 132
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (99)
Wyniki wyszukiwania dla: POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (33)
Wyniki wyszukiwania dla: POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Środowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych
Oferta BiznesowaŚrodowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych powstało w ramach realizacji projektu CZT Centrum Zaawansowanych Technologii POMORZE i mieści się w Katedrze Inżynierii Mikrofalowej i Antenowej na Wydziale Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Laboratorium zostało wyposażone w specjalistyczne zaplecze aparaturowe, które w połączeniu z kompetencjami naukowymi i technologicznymi kadry pozwala na...
-
Laboratorium Źródeł Energii w Katedrze Konwersji i Magazynowania Energii
Oferta Biznesowa
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (3530)
Wyniki wyszukiwania dla: POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification
PublikacjaIn the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublikacjaZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
PublikacjaIn the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...
-
A method of RTS noise identification in noise signals of semiconductor devices in the time domain
PublikacjaIn the paper a new method of Random Telegraph Signal (RTS) noise identification is presented. The method is based on a standardized histogram of instantaneous noise values and processing by Gram-Charlier series. To find a device generating RTS noise by the presented method one should count the number of significant coefficients of the Gram-Charlier series. This would allow to recognize the type of noise. There is always one (first)...