Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 11
Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (9)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride sourced switched fet (gan ssfet)
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Potencjał Badawczy* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Potencjał Badawczy* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Potencjał BadawczyTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (2)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride sourced switched fet (gan ssfet)
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Oferta BiznesowaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Źródeł Energii w Katedrze Konwersji i Magazynowania Energii
Oferta Biznesowa
Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (6)
Wyniki wyszukiwania dla: gallium nitride sourced switched fet (gan ssfet)
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublikacjaThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....
-
EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT
PublikacjaA dc-dc buck converter using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) is experimentally investigated at the discontinuous current mode (DCM) and at the triangular current mode (TCM) operation. The paper objective is to specify the power conversion efficiency and attenuation of common mode (CM) and differential mode (DM) noise voltage, measured at the line impedance stabilization network (LISN) for compared...
-
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
PublikacjaThis paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
The effects of gas exposure on the graphene/AlGaN/GaN heterostructure under UV irradiation
PublikacjaThis work demonstrates a graphene/AlGaN/GaN sensing device with two-dimensional electron gas (2DEG) toward nitrogen dioxide (NO2), tetrahydrofuran, and acetone detection under UV light irradiation. We propose combining measurements of the DC characteristics with a fluctuation-enhanced sensing method to provide insight into the gas detection mechanisms in the synergistic structure of highly stable GaN and gas-sensitive graphene....