IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - Czasopismo - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

ISSN:

0018-9383

eISSN:

1557-9646

Dyscypliny:

  • automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria biomedyczna (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • nauki fizyczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)

Punkty Ministerialne: Pomoc

Punkty Ministerialne - aktualny rok
Rok Punkty Lista
Rok 2024 100 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
Punkty Ministerialne - lata ubiegłe
Rok Punkty Lista
2024 100 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
2023 100 Lista ministerialna czasopism punktowanych 2023
2022 100 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2021 100 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2020 100 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2019 100 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2018 35 A
2017 35 A
2016 35 A
2015 35 A
2014 35 A
2013 35 A
2012 35 A
2011 35 A
2010 32 A

Model czasopisma:

Hybrydowy - czasopismo transformacyjne

Punkty CiteScore:

Punkty CiteScore - aktualny rok
Rok Punkty
Rok 2023 5.8
Punkty CiteScore - lata ubiegłe
Rok Punkty
2023 5.8
2022 5.4
2021 5.3
2020 5.5
2019 5.3
2018 5
2017 4.7
2016 5.2
2015 5.5
2014 5
2013 4.7
2012 4.6
2011 4.9

Impact Factor:

Zaloguj się aby zobaczyć Współczynnik Impact Factor dla tego czasopisma

Filtry

wszystkich: 2

  • Kategoria
  • Rok

wyczyść Filtry wybranego katalogu niedostępne

Katalog Czasopism

Rok 2020
  • Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS
    Publikacja

    In the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...

    Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

Rok 2018

wyświetlono 607 razy